真空镀碳仪主要特性

真空镀碳仪为SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探针分析提供高质量的镀膜技术。产品结构紧凑，所占空间小。样品室直径150mm，可快速抽真空进行镀膜处理，处理周期约10分钟。高真空条件下使用超纯的碳棒为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。组件设计方式可方便地对不同优化条件下的各种应用进行切换。

主要特性：
1、受反馈控制的碳棒蒸发系统可以在膜厚大约20nm左右进行多次蒸发，无须切削或调整碳棒形状；
2、108C中使用的高纯碳棒可以在高倍条件下得到高质量的镀膜效果。该镀膜系统结构紧凑，容易操作，抽真空周期短；
3、使用新型的蒸发装置：电流和电压通过磁控头的传感线监控，蒸发源作为反馈回路中的一部分被控制。该蒸发装置使常规的碳棒具有优良的稳定性和重现性。功率消耗低，碳棒具有优异的重新蒸镀特性。蒸发源可以通过脉冲或连续的方式操作；
4、可选择手动或自动方式操作；
5、自动模式下，蒸发源按程序设定的电压和时间进行喷镀。手动模式下，设计允许以脉冲或连续的方式操作，并通过旋钮控制输出电压。

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