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基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯CVD六方氮化硼异质结
石墨烯/h-BN薄膜的性质：
单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm（p掺杂）SiO2/Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 4片装
每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的覆盖率约为98％
薄膜是连续的，有小孔和有机残留物
高结晶质量
石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有少量多层（双层小于5％）
薄层电阻：430-800Ω/平方
更多访问：
http://www.sunano-materials.com/SonList-2349470.html
https://www.chem17.com/st311423/product_36972593.html
