湿法刻蚀系统

　　湿法刻蚀系统用于先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。湿法刻蚀系统的技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的较大化支持理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。湿法刻蚀系统提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗、兆声辅助下光刻胶剥离，以及湿法刻蚀。它可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。
湿法刻蚀系统和干法刻蚀系统的优缺点对比：
湿法刻蚀系统是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法。大多数湿法刻蚀是不容易控制的各向同性刻蚀。
特点：适应性强，表面均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。
缺点：图形刻蚀保真想过不理想，刻蚀图形的小线难以掌控。
湿法刻蚀系统的刻蚀剂是等离子体，是利用等离子体和表面薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。
特点：能实现各向异性刻蚀，从而保证细小图形转移后的保真性。
缺点：造价高，用于微流控芯片制备的较少。
湿法刻蚀系统
http://www.first-nano.com/SonList-1441857.html
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